原子層沉積技術（Atomic Layer Deposition）是一種原子尺度的薄膜制備技術。可以沉積均勻一致，厚度可控、成分可調的超薄薄膜。隨著納米技術和半導體微電子技術的發展，器件和材料的尺寸要求不斷地降低，同時器件結構中的寬深比不斷增加，要求所使用材料的厚度降低至十幾納米到幾個納米數量級。原子層沉積技術逐漸成為了相關制造領域不可替代的技術。其優勢決定了具有巨大的發展潛力和更加廣闊的應用空間。

原子層沉積設備原子層沉積技術已逐漸成為沉積功能膜的重要技術。該技術可以準確地控制納米尺度上物質的成分和形狀，并可以以單原子膜的形式逐層涂抹沉積物。原子層沉積設備

原子層沉積設備采用模塊化設計理念，主要由高真空模塊、前驅體輸運模塊、全封閉氣體反應模塊、遠程ICP等離子體模塊和、尾氣處理模塊和電子控制模塊等主要六個模塊組成，滿足超凈室標準；系統結構緊湊、集成度高，

主要用于制備高品質、復雜的先進薄膜材料，屬于高端薄膜制備設備，用于生長各種微納米尺度的單層膜或多層膜材料，可制備超硬膜、耐腐蝕摩擦薄膜、超導薄膜、磁性薄膜、光學薄膜，以及各種具有特殊功能的薄膜，尤其是在微電子機械系統、微流體、納米壓印、微電子封裝、生物芯片等跨學科領域有著重要應用。

超高真空磁控濺射鍍膜技術是在超高真空的背景真空下，電子在電場的作用下加速飛向基片的過程中與氬原子發生碰撞，電離出大量的氬離子和電子，電子飛向基片。氬離子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜。

離子束濺射產生的薄膜厚度均勻性是成膜性質的重要指標，因此有必要研究影響離子束濺射均勻性的因素，以便更好地實現離子束濺射均勻涂層。簡單地說，離子束濺射是在正交電磁

約瑟夫森結鍍膜機是專門用于量子比特芯片制備的關鍵設備，用于制備高質量的約瑟夫森結。

原理是等離子體在電場作用下轟擊陰極靶表面、分子、原子、離子和電子。濺射顆粒具有一定的動能，沿一定的方向向基體表面，在基體表面形成涂層。

激光直寫光刻機是一種用于物理學、信息科學與系統科學、材料科學、機械工程領域的儀器，該設備是基于空間光調制器的直寫光刻設備，用于制作光刻掩膜。

脈沖激光沉積的優勢： 1.易于獲得預期化學測量比的多組分膜，即具有良好的保成分性； 2.沉積率高，試驗周期短，襯底溫度要求低，薄膜制備均勻； 3.任意調整工藝參

反應離子蝕刻機的技術指標： 在射頻電源的驅動下，反應離子蝕刻機在上下電極之間形成電壓差，產生光放電，通過電離產生等離子體游離基和蝕刻材料，產生氣流（真空系統）帶

分子束外延特點： （1）生長速度非常慢，約1um/小時，相當于每秒生長一個單原子層，有利于實現厚度、結構和成分的準確控制，形成陡峭的異質結構。