原子層沉積技術(shù)性逐漸變成沉積功能膜的關(guān)鍵技術(shù)性。該技術(shù)性在納米級(jí)能夠精確控制物質(zhì)的構(gòu)成和形狀。它能夠以單原子膜的方式在基面層一層一層地鍍層沉積物。原子層沉積工藝流程是根據(jù)持續(xù)的自限制反應(yīng)而實(shí)現(xiàn)的。在沉積反應(yīng)全過程中，反應(yīng)氣相前體交替進(jìn)到，根據(jù)活動(dòng)官能團(tuán)在基面層產(chǎn)生單層化學(xué)吸附，進(jìn)行反應(yīng)。歷經(jīng)這種交替循環(huán)反應(yīng)以后，膜將得到納米級(jí)可控性生長的薄厚。因?yàn)檫@種沉積特性，原子層沉積技術(shù)性具備大范圍均勻的薄膜沉積，薄膜薄厚度納米級(jí)可控性生長，低溫狀況沉積，適用各種各樣繁雜基面（如高深寬比構(gòu)造）的優(yōu)異性能。這種與眾不同的優(yōu)點(diǎn)使原子層沉積技術(shù)性具備大規(guī)模集成電路、新式的儲(chǔ)能物質(zhì)等層面。

目前，我們的研究方向主要是將區(qū)域選擇性原子層沉積擴(kuò)展至納米粒子沉積。我們會(huì)嘗試通過分子自組裝技術(shù)對(duì)基材進(jìn)行改性，使原子層沉積工藝在局部沉積，產(chǎn)生納米粒子。一些結(jié)構(gòu)特殊的納米尺寸模板可以通過控制分子自組裝單層的生長來獲得。我們會(huì)用這種模板產(chǎn)生納米粒子，實(shí)現(xiàn)納米粒子的尺寸和形狀的原子尺寸的可控生長。這種納米粒子的制備方法的適用范圍從純金屬粒子擴(kuò)展到合金納米粒子，產(chǎn)生近表面合金催化劑，從而實(shí)現(xiàn)合金粒子的密度分布、尺寸和成分的原子尺寸。

2、粉末包覆原子層沉積設(shè)備

粉末包覆原子層沉積設(shè)備：粉末顆粒在粉末夾持器中以連續(xù)運(yùn)動(dòng)的方式存在，通過流化的方式實(shí)現(xiàn)粉末分散狀態(tài)下的表面覆蓋，提高覆蓋均勻性和整體覆蓋，節(jié)省沉積。

3.flowtube粉體沉積設(shè)備。

轉(zhuǎn)運(yùn)沉積設(shè)備：運(yùn)用離心力帶動(dòng)粉末狀轉(zhuǎn)運(yùn)，能夠完成壓力沉積過程，提升前驅(qū)體利用率，還能運(yùn)用高速度離心效應(yīng)減少粉末狀聚集度，根據(jù)流化氣流壓差完成粉末狀顆粒物分散化，提升涂層包覆均勻性。

以上就是小編今日為大家介紹的原子層沉積設(shè)備全部內(nèi)容，感謝大家耐心的閱讀！