干貨：分子束外延知識點介紹

簡介：

   將一種或幾種帶有某種熱能的分子(原子)束噴入晶基底，在超真空條件下，在襯底表面發生反應的過程，因為這些分子在"飛行"過程中與外界氣體幾乎沒有碰撞，以分子束的形式射入襯底，從而形成外延生長。

特性：真空蒸鍍法的一種。

   用途：分子束外延適用于外延生長原子級精確控制的超薄、多層二維結構材料及裝置(超特性、量子阱、調制摻雜異質結、量子阱激光器、高電子遷移率晶體管等)；

特征：

(1)從源爐噴出的分子(原子)呈"分子束"流形，直線到達基板表面。用石英晶體膜厚儀監控，嚴格控制生長率。

(2)分子束外延生長速度較慢，約為0.01-1nm/s。在薄膜厚度控制方面，可以實現單原子(分子)層外延。

(3)通過調整隔板在束源與基片之間的開合，可以嚴格控制膜的組分和雜質濃度，也可以實現選擇性外延生長。

(4)非熱平衡生長，襯底溫度可以低于平衡狀態，實現低溫生長，可以有效地降低互擴散和自摻雜。

(5)配合反射高能量電子衍射(RHEED)等裝置，可以實現原價觀測和實時監控。

(6)由于MBE生長速度較慢，這是MBE的缺點之一，不適合厚膜生長，大規模生產。

基本概況

  分子束外延包括同質外延和異質外延。

(1)外延期內，襯底溫度較低。

(2)同時摻雜。

(3)系統保持高度真空。

(4)特別關注原子級潔凈表面。