原子層沉積技術（Atomic Layer Deposition）是一種原子尺度的薄膜制備技術?？梢猿练e均勻一致，厚度可控、成分可調的超薄薄膜。隨著納米技術和半導體微電子技術的發展，器件和材料的尺寸要求不斷地降低，同時器件結構中的寬深比不斷增加，要求所使用材料的厚度降低至十幾納米到幾個納米數量級。原子層沉積技術逐漸成為了相關制造領域不可替代的技術。其優勢決定了具有巨大的發展潛力和更加廣闊的應用空間。

1.脈沖一種前驅體暴露于基片表面，同時在基片表面對一種前驅體進行化學吸附

2.惰性載氣吹走剩余的沒有反應的前驅體

3.脈沖第二種前驅體在表面進行化學反應，得到需要的薄膜材料

4.惰性載氣吹走剩余的前驅體與反應副產物

使用者可通過設定循環次數或時間，實現原子級尺度厚度可控的薄膜沉積

技術優勢:

相對于傳統的沉積工藝，ALD技術具有以下明顯的優勢：

? 前驅體是飽和化學吸附，不需要控制反應物流量的均一性
? 沉積參數的高度可控，可實現生成大面積均勻性的薄膜
? 通過控制反應周期數，可簡單精確地以原子層厚度精度，控制薄膜沉積的厚度
? 可廣泛適用于各種形狀的基底
? 優異的臺階覆蓋性，可生成極好的三維保形性化學計量薄膜，
? 優異的均勻性和一致性，可生成密集無針孔狀的薄膜
? 可沉積寬深比達2000:1的結構，對納米孔材料進行沉積
? 可容易進行摻雜和界面修正
? 可以沉積多組份納米薄膜和混合氧化物
? 薄膜生長可在低溫（室溫到400℃）下進行
? 固有的沉積均勻性和小的源尺寸，易于縮放，可直接按比例放大
? 對環境要求包括灰塵不敏感
? 使用與維護成本低