原子層沉積設(shè)備的技術(shù)是將至少兩個(gè)氣相前驅(qū)物種連續(xù)引入加熱反應(yīng)器襯底，自動(dòng)終止化學(xué)吸附過程，直至表面飽和。適當(dāng)?shù)墓に嚋囟茸璧K了表面分子的物理吸附。基本的原子層沉積循環(huán)包括脈沖A、清洗A、脈沖B和清洗B四個(gè)步驟。沉積循環(huán)重復(fù)，直到獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結(jié)構(gòu)形成納米設(shè)備的優(yōu)良工具。
原子層沉積設(shè)備是以單原子膜的形式逐層涂覆材料的一種方法，是制備薄膜材料的重要方法之一。其特點(diǎn)是自限性，這也決定了原子層沉積技術(shù)具有厚度高、可控性好、均勻性好、保形性好等優(yōu)點(diǎn)，特別擅長(zhǎng)高深寬比圖形填充。該技術(shù)已成為制備各種功能膜的重要手段。突破了前驅(qū)物體運(yùn)輸系統(tǒng)控制技術(shù)、反應(yīng)室熱場(chǎng)流場(chǎng)控制技術(shù)、等離子體生產(chǎn)控制技術(shù)、脈沖射頻快速調(diào)頻匹配技術(shù)、高效無損原位清洗技術(shù)、軟件控制技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)。開發(fā)了兩種沉積設(shè)備，即等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)、可沉積Oxide、HFO2/Aletaletal、PE-SiN)、PE-SiN等。原子層沉積設(shè)備的涉及的領(lǐng)域包括：半導(dǎo)體領(lǐng)域:晶體管格柵極電介質(zhì)層(高k材料)、光電元件涂層、晶體管擴(kuò)散基層和互聯(lián)基層(防止摻雜劑遷移)、有機(jī)發(fā)光顯示反濕涂層和膜電致發(fā)光元件等。納米技術(shù)領(lǐng)域:空心納米管、隧道勢(shì)壘層、光電電池性能、納米孔尺寸控制、納米催化、高寬比納米圖形、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)反靜阻涂層等。
