原子層沉積設(shè)備的應(yīng)用

由于沉積參數(shù)的高度可控(厚度、成分和結(jié)構(gòu))，原子層沉積技術(shù)。

原子層沉積(Atomiclayerpition，ALD)初被稱為原子層延伸(Atomiclayerpitaxy，ALE)，也被稱為原子層化學(xué)氣相沉積。沉積物包括：氧化物、氮化物、氟化物、金屬、碳化物、復(fù)合結(jié)構(gòu)、硫化物、納米薄層等。

半導(dǎo)體領(lǐng)域：

晶體管格柵極電介質(zhì)層（高k材料）、光電元件涂層、晶體管擴(kuò)散基層和互聯(lián)基層（防止摻雜劑遷移）、反濕涂層和膜電致發(fā)光元件、集成電路互聯(lián)種子層、DRAM和MRAM介質(zhì)層、嵌入式電容器介質(zhì)層、電磁記錄頭涂層、金屬絕緣金屬（MIM）電容器涂層。

納米技術(shù)領(lǐng)域：

空心納米管、隧道勢壘層、光電池性能、納米孔尺寸控制、高寬比納米圖形、微機(jī)電系統(tǒng)反靜阻涂層、疏水涂層種子層、納米晶體、Znse涂層、納米結(jié)構(gòu)、空心納米碗、儲硅量子點(diǎn)涂層、納米顆粒涂層、納米孔涂層、納米線涂層。

上述領(lǐng)域并不意味著原子層沉積技術(shù)的所有可能應(yīng)用領(lǐng)域。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，它將在不久的將來發(fā)現(xiàn)越來越多的應(yīng)用。根據(jù)該技術(shù)的反應(yīng)原理，可以沉積各種材料。沉積材料包括金屬、氧化物、碳（氮、硫、硅）化學(xué)物質(zhì)、各種半導(dǎo)體材料和超導(dǎo)材料。